0000002238 00000 n <<2D7163036D81604F9DE75108382373F4>]>> �����v�·+ܑy�NgB���YR�9�¹�+��;���1A�FN b��&r �N���� ポテンシャル曲線. 0000121153 00000 n mosfet(3) 11. e c e f e v 拡散電位 v d このバンド図って, 理論的に描けるのか? %%EOF 146 0 obj <>stream �R�S��O\���WR�I=�Nh{I��w��Yt�R&���"���D|�t�E+]Z����ij���b�Ǡ�r�,�̋��&k��2Y(1Bd[��(�lsS�G����/"[-ͷ�v��i1{*�u� 不純物濃度が高い場合は、空乏層の幅は小さくなるのでツェナー降伏が起こりやすくなります。反対に、不純物濃度が低い 場合は、空乏層の幅が広がるのでツェナー降伏が生じにくくなり、電子雪崩降伏が支配的となります。 h�|�K��F��w� �� �����}?؎�h4�����wm# ��L�4�EV�X,�}? 0000001316 00000 n 空乏層と. 0000010622 00000 n h�b```f``�b`e`2fb@ !�(G�!�F��+�)Z/���z��� ��e��L;�Fx7t8�=2w�] X[ 1���fo�C�%���9�n\W����w���I;&'{>ǥ�o�LϷdt]��z~�d��u,Tۺc;?�j �]O���6n@����·pmo��]������ �A�$�a� s� ���Z�>�'�V��?=j����H� ���ۀ��|��Aہ%�1�!d�H �\� 0000127091 00000 n ��(�d���m`6�d�&��ɫ`�`0�L� �;A$�[��V,6�H2�/����$�V����@���YL@����Q�:u�g� u�V xref 0000007758 00000 n 0000001687 00000 n @�H\��e�^~�����C����}(K ����=�C� ��|��w#@EQ��Z`�d��eц{�����Q|�_��`�=q���j�D@l2��������ߏ����'p=U J��>Za�m*�j�+�)綄 endstream endobj 113 0 obj <>stream pn接合ダイオードの. �e/�wY�e�,���V�V$�H�~B�(�D3�,��g�Ъ�Z��n)a1XpgfaqV��}�F4���}/�~{9��:�UmY2�}��PŞ�.��理�Xpo�n�"�\X�����s["��y�V���S[D���uR[�P^E�l�뢶��u4FR�"���ڞxr4Y��FS�y� ���AZ�s��MQ�DEDO�Es�E=�C����͢$z���9�Q�铨�F� )ы$%�R���ج� ��R�6�d�X��֍�˞��Zc��2��Z(XQ ��J>b��33�� %%EOF ��Lr|4f0MfP�m7 ]¨����I�Uw1�ww� ��( �շ@:����H�30�,��� Ri. %PDF-1.5 %���� 0000011266 00000 n 0000009476 00000 n 0000113164 00000 n ȫ ��7wu�tz��`�ct\����d ��[���Q`����Ꮐ��/R��D�yQ/�YY�!�.k���Ȃf��Ź:�֟o����Lhi-��V��3� ���S�h�.,?���/Ky3ՒL��ܓ�S�C��䭢G��:�pV�5pV��9bO} 0000006965 00000 n 832 0 obj <> endobj 0000153502 00000 n 85 0 obj <>stream 0000131273 00000 n 0000002567 00000 n }7�������޾߷o�����־~���h������a���t|{������}�����~k��{��<>|x����뷷����'����������ˏ�Mp��g��O���n��˷�y|��8��������/���xχ�������p�}���l__���m/?��c�����[N�����w�}�_ǿ��w��7ƙ�7� ��8X��d��D���� I�#� �$�4���@�W�&F�� q��AD�g��@� Djm ��S@�!8p�p� 0 0000007119 00000 n 35 51 �!�E=�{U!y] ;4m"t�8�RL^T N�N�� n�̬c�bi��t���+U��Z�d4gvJV�q¥D�iwb]����yך�U_�*�*{FFV�ۋ�bej)+*��\̊�_����N��TϪ��S�w*Ky��gm*����>5�",V3ky���Z���*�YgI)�z�UD�@>kO�['"�I�y��隆��S,�Z�y� �M�;άs�i�ȜlӾ��B��;M K4N�4eF�. 0000010366 00000 n ��&g�M~�"��� �E�h�� :E�&�N��xS�鞟 NTDA����(x� 0000002955 00000 n 0000000016 00000 n 131 0 obj <>/Filter/FlateDecode/ID[<50A73EB22535F150E95DD2F6B33221C1><2F51FF55E279474781C44903D0F9AE64>]/Index[109 38]/Info 108 0 R/Length 109/Prev 454350/Root 110 0 R/Size 147/Type/XRef/W[1 3 1]>>stream h޼Vmk�H���q�?�Jnߥ�c׉�� ��R0���[[E���@��of׊-�I��b���3�gvĥ �p) 70�"� �5瀈�h�lg��@�k�5� �F��ȕ$B�G���� W�VkC>|��"+�x��,.���������N�~����:�Q�y ��؇���tyZ�����UY�b[O�U@�����U��=? h�bbd```b``n��3�d=��L��E��H�00[D�ȁH��`�k��� �+ 0000010235 00000 n %%EOF startxref 0000006816 00000 n h�b```���ܼ� ce`a��,��zy}CX�VB�����6��My�公���縖�έJ"��=����T��:C����w���{$��}皩Ӧ:�r�+�䊝q�PfI��Aw���9���]K��Ƭ�XK��� �� �f400�„�;`�p8*ɤ�(j����n��@Z�%��0ab:��� c7cG�� 0000010865 00000 n 9������]�U]n����ƞ@)�י]�q�w�0.·�Q����_���AiwlM5�-j` endstream endobj startxref %PDF-1.5 %���� 0000002911 00000 n 880 0 obj <>stream 109 0 obj <> endobj 0000153307 00000 n 0000012375 00000 n 0000008910 00000 n 0000011933 00000 n 0000001954 00000 n 0000153851 00000 n 0000005473 00000 n 0000121383 00000 n 0000009793 00000 n ",1�L�s�;m�>�b���;bb���6&ƛ�ݝ���6�ł.bef�WO�%Hʁ��m��Ya��&e�[9�:m"���k�̲�X�T��Z%SVZ�I^�SŦ-��f6b��(�N������8�!�ۄ�$#o��3YY"#%ـG��CēNꙘK ��ӫ���8:(�-�d��j&WԆ��U�-���e;� 0000008311 00000 n 0000114784 00000 n 0000002832 00000 n �j���4����$e�g�z:,�.�����-֬�n��#��6�{"]K%kAF�"�@d���;#��Ǭ�ImN29�l���. 0000002700 00000 n 0000154073 00000 n 6 v h 6 c (3) 飽和領域 i b l [ 6 p μc m v :v kv x ; 6 (4) この式において、w はチャネルの幅、l はチャネルの長さ、μは半導体中の電子の 移動度、cox はmos キャパシタの単位面 積当たりの容量である。vt とは閾値電圧と よばれ、チャネルに電子が現れるのに必要 endstream endobj 110 0 obj <> endobj 111 0 obj <> endobj 112 0 obj <>stream 0 0 .>_�oIVY F�Ӹ�]�#��b��7k�˒k/�t��[�l^��h�K�6],k8�h�zѩ�dɢ"R�#9;+�&�"Q��`|꤃d�f���ޖ��K3+Pѝr>%+K/{_�F﷪�ץ�gK��(WI�X�>(1 �$Kg�|�Y�h\�տ�(� �b�e����~���e���:��~�g��:ͻy�ޯiYսeR)�;�b*��V�+C�ۛ#��օt����j"BCX��J�{��B 9�pơu��}�H�B�x�9BG�A��� /��1P_(kt���r'�ud8 �À�VM %PDF-1.4 %���� 0000121702 00000 n 0000001768 00000 n 0000005550 00000 n 0000121795 00000 n x�b```�R6�tgAʰ1�0p�Q`��ɬu��%������ѓc���ba�n����7I,���[*:����:��� ' 3�Ԥ��]�@��)���u �6%%����j��$ mosfet(1) 9. �( ���HH �X�2Щ� v*��9�B�, ����5p0. endstream endobj startxref 0000124108 00000 n 854 0 obj <>/Filter/FlateDecode/ID[<6628417454B11349A8D9783BA1850456>]/Index[832 49]/Info 831 0 R/Length 114/Prev 805436/Root 833 0 R/Size 881/Type/XRef/W[1 3 1]>>stream 0000153011 00000 n �e��ʚd|�Z"A��>k��1���^"I���bd�x+�"4p��xћ������+����^M�� 0000015068 00000 n 0000022063 00000 n 0000002867 00000 n trailer �F����n�&���n=��ߛ��f��5z�=S�j����/k��O�ڱ=6cl�M�g�M�k!��� {�` �:H� 12月08日: mosfet(2) 10: 12月15日. 0000124012 00000 n 0000006177 00000 n 12月22日: 講演会(lr501) 「理解度チェックテスト」に変更予定 �i�ԕ+CG�Q�D��Z�͜� 35 0 obj <> endobj 0000113462 00000 n 0000126995 00000 n 小さいほど、空乏層幅が狭くなるということです。さらに、空乏層は、キャリア密度が低い領域に伸びること も分かります。つまり、pn接合で、もしp型半導体領域のキャリア密度がn型領域より小さければ、空乏層は p型領域に伸びます。逆も同じです。 ����0�{�60Na�a`��?���rN\.��4#� �+W��Q � ���� 0000003248 00000 n 0000002999 00000 n h�bbd```b``��!

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